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IXTA05N100HV 发布时间 时间:2025/8/6 5:21:20 查看 阅读:26

IXTA05N100HV是一款由Littelfuse(原International Rectifier)制造的高电压、高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高效能和高耐压能力的工业和电力电子应用。该器件采用先进的平面技术,具有优异的导通和开关性能,适用于高频率操作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1000V
  最大漏极电流(Id):5A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为2.5Ω(具体数值可能因批次和测试条件而异)
  最大功耗(Ptot):70W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

IXTA05N100HV具备多项卓越的电气和热性能特点,适用于各种高要求的功率应用。首先,其高达1000V的漏源电压(Vds)使其非常适合用于高电压电源转换系统,例如太阳能逆变器、电机控制和高压DC-DC转换器。其次,该器件的低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,其70W的最大功耗结合TO-220AB封装设计,具备良好的散热性能,能够适应较高温度的工作环境。
  该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗,支持高频操作,适用于需要高效率和快速响应的电路设计。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)使其能够在极端环境条件下稳定运行。此外,该器件的结构设计也具备良好的抗雪崩能力,能够在突发过压情况下提供一定的保护功能,提高系统的可靠性。

应用

IXTA05N100HV适用于多种高电压和高功率应用,包括但不限于:
  1. **高压电源转换器**:用于DC-DC转换器和AC-DC电源供应器,特别是在需要高效率和高稳定性的场合。
  2. **太阳能逆变器**:作为功率开关元件,用于将太阳能电池板的直流电转换为交流电并馈入电网。
  3. **电机驱动系统**:适用于需要高电压和高频操作的工业电机控制设备。
  4. **工业自动化设备**:用于各种工业控制和电源管理模块,提高系统的能效和稳定性。
  5. **LED照明系统**:在高压LED驱动电路中提供高效的功率管理解决方案。

替代型号

IXTA06N100HV, IRFHV120, STW12NK10Z, FGH100N10A

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IXTA05N100HV参数

  • 现有数量300现货
  • 价格1 : ¥39.51000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)750mA(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)17 欧姆 @ 375mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)260 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)40W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263HV
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB