时间：2025/8/5 13:28:42
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IXT-1-1N100S1-TR 是一款由 IXYS 公司制造的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，适用于高功率和高效率的应用。该模块采用了先进的功率半导体技术，具备优良的导通和开关性能，广泛用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器和电能转换系统等场景。
类型：MOSFET模块
漏极电流（Id）：100A
漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 1.2mΩ
封装形式：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
功率耗散：400W
栅极电荷（Qg）：320nC
短路耐受能力：有
IXT-1-1N100S1-TR 拥有极低的导通电阻，这使其在高电流应用中具有更低的功率损耗和更高的效率。该模块采用了先进的封装技术，确保了良好的热管理和散热性能，从而提高了器件的可靠性和使用寿命。其高耐压能力和强短路耐受特性，使其在严苛的工作环境中仍能保持稳定运行。
此外，该模块具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提高系统的响应速度和整体效率。其栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的能量消耗，同时提升了MOSFET的动态性能。该器件的宽工作温度范围和高热稳定性，使其适用于各种极端环境条件下的高功率应用。
IXT-1-1N100S1-TR 常用于高功率电源转换系统、电机驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、工业自动化控制系统以及电动汽车充电设备等领域。其高效率和高可靠性的特点，使其成为许多工业和电力电子设备中的关键组件。
IXT-1-1N100S1-TR 可以替代的型号包括 Infineon 的 BSC090N10NS5 和 STMicroelectronics 的 STP100N10F7。
