时间：2025/8/6 8:25:13
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IXSX35N120BD1 是由 IXYS 公司生产的一款高功率、高电压的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于工业电源、逆变器、电机驱动和电源转换系统等高功率应用场合。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术，具备优异的导通和开关性能。该 MOSFET 封装形式为 TO-247，方便安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：1200V
漏极电流(Id)：35A（Tc=25℃）
栅极阈值电压(Vgs(th))：4.5V ~ 6.5V（在Id=500μA时）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.065Ω
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247
IXSX35N120BD1 具备多项优秀的电气和物理特性。其高耐压（1200V）和大电流承载能力（35A）使其非常适合用于高压功率转换系统中。该器件的导通电阻非常低，仅为 0.065Ω，这有效降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 的栅极阈值电压范围适中（4.5V~6.5V），使其易于与标准的驱动电路兼容。
另一个关键特性是其快速开关能力，这使得 IXSX35N120BD1 在高频开关应用中表现出色，适用于如 DC-DC 转换器、PWM 控制电机驱动器和 UPS 系统等场景。其 TO-247 封装设计提供了良好的热管理和电气隔离性能，有助于提高系统的稳定性和可靠性。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在极端工况下保持正常工作。
IXSX35N120BD1 广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要用途包括但不限于：工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及高压 DC-DC 转换器。由于其具备高耐压和低导通电阻特性，该 MOSFET 特别适合需要高效能和高可靠性的电源管理方案。
在电机控制应用中，该器件可以用于构建高性能的 H 桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。在太阳能逆变器中，IXSX35N120BD1 可用于实现从直流电能到交流电能的转换，其高效的开关性能能够显著提升整体系统能效。此外，在电源适配器和电池充电器中，该器件也可用于实现高效的功率转换和调节。
IXFN34N120, FGH30N120, STW34NBK12
