类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：24A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.215Ω
　　栅极电荷（Qg）：50nC
　　功率耗散（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

IXST24N60BD1 是基于英飞凌专有的CoolMOS?技术制造的高性能功率MOSFET。其主要特性包括低导通电阻（RDS(on)）和高击穿电压（600V），这使得该器件在高电压应用中具有较低的导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和耐久性，适用于高负载条件下的长期运行。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而减小外部无源元件的尺寸和成本。TO-220封装设计提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下仍能保持较低的结温，提高了器件的可靠性和寿命。
　　IXST24N60BD1 还具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在突发性过电压或感性负载切换情况下保持稳定工作，避免损坏。该特性对于电机驱动、开关电源和工业控制等应用尤为重要。此外，该MOSFET具备高dv/dt抗扰能力，减少了误触发的可能性，提高了系统的稳定性。

IXST24N60BD1 广泛应用于需要高电压、高电流能力的功率电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、UPS系统、工业电机驱动、照明镇流器和太阳能逆变器等。其低导通电阻和优异的开关性能使其在高效率和高功率密度的设计中具有优势。
　　在电源系统中，该MOSFET可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。在电机驱动和变频器中，IXST24N60BD1 可用于构建H桥电路，实现电机的高效控制。此外，在LED照明和节能灯具中，该器件可用于高频变换器设计，提升系统效率并减小变压器尺寸。

IXST20N60BD1, IXST30N60B2D1, FCP24N60N