时间：2025/8/6 9:26:51
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IXSN80N60BD1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流场景，如电源转换器、电机驱动和开关电源等。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：180nC（典型）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Ptot）：300W
漏极电流峰值（Idm）：320A
IXSN80N60BD1 具有多种优异特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该 MOSFET 的漏源电压高达 600V，使其适用于中高电压的开关应用。此外，该器件的峰值漏极电流可达 320A，具备良好的过载能力。
在热性能方面，IXSN80N60BD1 采用高散热效率的 TO-247 封装，能够有效散发热量，确保器件在高负载条件下的稳定性。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种恶劣环境条件。
该 MOSFET 还具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）仅为 180nC，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。同时，该器件的短路耐受能力较强，可在短时间内承受高电流应力，提高了系统的可靠性和安全性。
IXSN80N60BD1 常用于高功率开关电源、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统中。由于其高耐压和低导通电阻特性，该 MOSFET 非常适合用于高频开关应用，如太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和电动汽车充电设备。
IXFH80N60P
IXFK80N60T
STY80N60D2
SPW80N60CFD
TK80E60W
