IXSN80N60AU是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适合用于DC-DC转换器、电机控制、开关电源以及逆变器等高功率应用。IXSN80N60AU采用TO-247封装,具备良好的散热性能和高可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):80A
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.085Ω(最大)
功耗(PD):300W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
IXSN80N60AU具有多项显著的性能特点,首先是其低导通电阻(RDS(on))最大为0.085Ω,这使得在导通状态下功耗较低,从而提高了整体效率并减少了散热需求。该器件的漏源电压为600V,适用于中高压功率转换应用,同时具备80A的漏极电流能力,能够承受较大的负载电流。
其次,该MOSFET具有高开关速度,能够支持高频操作,从而减小外围电感和电容的尺寸,提高系统的功率密度。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于降低驱动损耗,提高开关效率。
IXSN80N60AU还具备良好的热稳定性和高可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度和高可靠性的工业级应用。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力,能够在异常工况下提供一定的保护作用。
IXSN80N60AU广泛应用于各种高功率和高频率的电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器和变频器等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效功率转换应用的理想选择,尤其是在需要高效率和小尺寸设计的场合。
在电机控制应用中,该器件可用于H桥结构,实现电机的正反转控制及制动功能。在太阳能逆变器和储能系统中,IXSN80N60AU可用于直流母线的高频开关控制,提高系统效率并降低热损耗。此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、焊接电源、LED照明驱动以及电动汽车充电模块等应用场景。
IRF840、STF80N60DM2、FQA80N60、TKA80N60