IXSN80N60AU 时间：2025/8/6 1:28:38 阅读：32

IXSN80N60AU是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、电机控制、开关电源以及逆变器等高功率应用。IXSN80N60AU采用TO-247封装，具备良好的散热性能和高可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：80A
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω（最大）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXSN80N60AU具有多项显著的性能特点，首先是其低导通电阻（RDS(on)）最大为0.085Ω，这使得在导通状态下功耗较低，从而提高了整体效率并减少了散热需求。该器件的漏源电压为600V，适用于中高压功率转换应用，同时具备80A的漏极电流能力，能够承受较大的负载电流。
　　其次，该MOSFET具有高开关速度，能够支持高频操作，从而减小外围电感和电容的尺寸，提高系统的功率密度。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动损耗，提高开关效率。
　　IXSN80N60AU还具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度和高可靠性的工业级应用。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，能够在异常工况下提供一定的保护作用。

应用

IXSN80N60AU广泛应用于各种高功率和高频率的电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器和变频器等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效功率转换应用的理想选择，尤其是在需要高效率和小尺寸设计的场合。
　　在电机控制应用中，该器件可用于H桥结构，实现电机的正反转控制及制动功能。在太阳能逆变器和储能系统中，IXSN80N60AU可用于直流母线的高频开关控制，提高系统效率并降低热损耗。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、焊接电源、LED照明驱动以及电动汽车充电模块等应用场景。