时间：2025/8/6 8:37:14
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IXSN80N60A 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压、高电流应用。这款器件采用 TO-247 封装形式，具备优良的导通和开关性能，适用于开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备等领域。该 MOSFET 的额定电压为 600V，额定电流可达 80A，具有较高的功率处理能力。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约 0.08 欧姆
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-247
IXSN80N60A 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其高电压额定值（600V）使其适用于各种中高功率转换应用。此外，该器件具有良好的热稳定性和高温工作能力，可在严苛的工业环境中可靠运行。IXSN80N60A 的快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统性能。
该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发高压或负载突变情况下的耐用性。同时，其坚固的封装设计有助于提高散热效率，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件的栅极驱动要求相对较低，适用于多种驱动电路配置，便于在不同应用中灵活使用。
IXSN80N60A 广泛应用于高功率电源系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、变频器、电机驱动器、工业自动化设备及电力控制系统。此外，该器件也适用于需要高电压和大电流处理能力的消费类电子产品和汽车电子系统。
IXSH80N60A, IXSH80N60C, IRFP460LC、STP80NF55
