时间：2025/8/6 8:14:35
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IXSN50N60BD2 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高功率和高电压应用场景。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术，具备优异的导通性能和开关特性，适用于各种电力电子转换设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：600 V
漏极电流（Id）：50 A（在 Tc=100℃ 时）
导通电阻（Rds(on)）：0.19 欧姆（最大值）
栅极电压（Vgs）：±30 V
功率耗散（Ptot）：250 W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-247AC
IXSN50N60BD2 具备多种显著特性，使其在高功率应用中表现卓越。
首先，该 MOSFET 的高耐压能力达到 600 V，使其适用于多种高压转换电路，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。其低导通电阻（最大 0.19 欧姆）可有效降低导通损耗，提高整体系统效率。
其次，该器件支持高达 50 A 的漏极电流，确保其在高负载条件下依然稳定运行。此外，其 TO-247AC 封装形式具备良好的热管理和机械稳定性，适用于需要高效散热的工业应用。
再者，该 MOSFET 的栅极电压范围为 ±30 V，提供较高的驱动灵活性，并具备较强的抗干扰能力。其高可靠性设计使其在恶劣工作环境中依然保持稳定性能。
最后，该器件的开关特性优异，具有较低的开关损耗，适合高频开关应用。这些特性共同确保 IXSN50N60BD2 在各种电力电子系统中具备高效、稳定和可靠的表现。
IXSN50N60BD2 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子设备中。
常见应用包括电源供应器、AC/DC 和 DC/DC 转换器、电机驱动系统以及不间断电源（UPS）。由于其高耐压和低导通电阻特性，该 MOSFET 非常适合用于高效能开关电源设计。
此外，IXSN50N60BD2 还广泛用于工业自动化设备、焊接设备和光伏逆变器等高功率电子系统中。在这些应用中，该器件能够提供稳定的导通性能和出色的热管理能力，确保系统的长期可靠运行。
在家用电器领域，该 MOSFET 可用于高功率负载控制，如电磁炉和高压清洁设备。其高可靠性和优异的电气性能使其成为多种高功率应用场景的理想选择。
IXSH50N60BD2, IXFN50N60P, IRFP460LC, FCP50N60
