时间：2025/8/6 7:24:34
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IXSN35N120U1 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。这款器件以其高效的开关性能和耐用性而闻名，广泛用于工业电源、电机控制、电动汽车充电系统以及 UPS（不间断电源）系统等应用中。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id): 35A
最大漏-源电压 (Vds): 1200V
栅极-源极电压 (Vgs): ±20V
导通电阻 (Rds(on)): 0.185Ω（典型值）
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: TO-247
IXSN35N120U1 具备一系列显著的特性，包括低导通电阻，这使得功率损耗显著降低并提高了系统效率。此外，该器件的高栅极电荷（Qg）设计确保了其在高频开关应用中的优异表现。器件还具备良好的热稳定性和耐久性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。
该 MOSFET 的封装设计优化了散热性能，能够快速将热量传导至外部散热片，从而提升整体的可靠性。同时，其高雪崩能量耐受能力保证了在极端条件下器件的安全运行。此外，IXSN35N120U1 的快速开关特性减少了开关损耗，这对于高频率应用尤为重要。最后，该器件还具备良好的抗短路能力，能够在突发短路情况下提供额外的保护。
IXSN35N120U1 被广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、电机驱动器、可再生能源逆变器、UPS 系统以及电动汽车充电设备。此外，它也适用于需要高效能和高可靠性的开关电源和 DC-DC 转换器。由于其高电压和大电流处理能力，该器件在电力电子系统中扮演着关键角色。
STW34NB20, IRFP460, IXSH35N120U1
