类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：1100 V
　　最大漏极电流 Id：35 A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 120 mΩ
　　栅极电荷 Qg：典型值 87 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247

IXSN35N1120AU1 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动电压下最大为 120 mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 能够承受高达 35A 的连续漏极电流，适用于高功率负载。该器件采用了先进的平面 MOSFET 技术，提供了良好的热稳定性和高耐用性。
　　另一个显著的特性是其高击穿电压（1100V），使其适用于高压直流（HVDC）和工业逆变器等高耐压要求的应用。此外，该器件具有低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。TO-247 封装设计具有良好的热管理能力，能够有效地将热量传导至散热器，从而确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　此外，该器件具有卓越的雪崩能量承受能力，能够在极端条件下（如过载或短路）提供更高的可靠性和稳定性。这种特性对于需要长期运行和高可靠性的工业和能源系统尤为重要。其栅极驱动电压范围适合常见的 10V 至 15V 驱动电路，兼容标准的 MOSFET 驱动器。

IXSN35N1120AU1 主要应用于高功率开关电源（SMPS）、工业逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电机控制设备。其高电压和高电流能力使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的工业自动化系统。在太阳能逆变器中，该 MOSFET 可用于 DC-AC 转换电路，实现高效的能量转换。在电池管理系统中，该器件可用于高侧开关控制，以确保电池组的安全充放电操作。此外，在电机驱动和伺服控制系统中，该器件可用于 PWM 控制电路，提供高效的电机调速和转矩控制。由于其良好的热性能和高可靠性，IXSN35N1120AU1 也广泛用于电动汽车充电设备和储能系统。

IXFN34N110P, IRFP4668, FGL40N110MTD