IXSN35N100U1 时间：2025/8/6 11:27:45 阅读：38

IXSN35N100U1是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET适用于高功率开关应用，能够在高压和高电流条件下稳定工作。其主要特点是具备较高的耐压能力（1000V）以及较大的额定电流（35A），适用于工业电源、逆变器、电机驱动等需要高效能功率开关的场合。该器件采用TO-247封装，具备良好的热管理和机械稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：35A
　　最大功耗（Ptot）：250W
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.135Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXSN35N100U1具有多项优异的电气和热性能特性。其高耐压能力（1000V）使其能够适用于高电压工作环境，如高压电源转换器和逆变器系统。导通电阻较低（约0.135Ω），有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。
　　此外，该器件具备较强的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，并且TO-247封装形式提供了良好的散热性能，便于在高功率应用中进行热管理。IXSN35N100U1的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的栅源电压，允许使用多种驱动电路配置，提高设计灵活性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，有助于减少开关损耗并提升系统响应速度。其优异的雪崩能量承受能力也增强了器件在高能量冲击环境下的可靠性和稳定性。

应用

IXSN35N100U1广泛应用于各种高功率电子系统中，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动控制器和高频开关电源等。其高耐压和大电流能力使其成为高压DC-DC转换器和逆变器中的理想选择。
　　在太阳能逆变器中，IXSN35N100U1可用于将直流电转换为交流电，以支持家庭或电网供电。在工业电源系统中，它可用于高效率的功率转换和调节。此外，该器件还可用于高频感应加热系统、电动车辆充电设备以及高功率LED照明驱动电路等应用领域。