IXSK50N60A 时间：2025/8/5 19:01:57 阅读：25

IXSK50N60A是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高效率的特性，广泛应用于工业电源、逆变器、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统等领域。其封装形式为TO-247，便于散热和集成。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷（Qg）：95nC
　　输入电容（Ciss）：1900pF
　　封装类型：TO-247

特性

IXSK50N60A的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)）0.18Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率；高耐压（VDS）600V，使其能够应用于高电压系统；最大漏极电流50A，支持高功率负载。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的工业环境中长期工作。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，方便用户进行散热设计。
　　该器件还具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）为95nC，减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。输入电容（Ciss）为1900pF，进一步优化了高频应用中的性能。IXSK50N60A的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的工作环境。此外，它还具备较强的抗雪崩能力和短路保护功能，增强了器件在突发故障情况下的耐用性。

应用

IXSK50N60A主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子设备中。常见的应用场景包括工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器、焊接设备和太阳能逆变器等。在电机驱动系统中，该MOSFET能够高效控制大功率直流电机的运行；在UPS系统中，它可以作为主开关元件，提供稳定的电源切换功能；在太阳能逆变器中，IXSK50N60A可以用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，实现高效的能源转换。
　　此外，该MOSFET还可用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路中，帮助提升系统的整体效率和稳定性。其高可靠性和良好的热性能使其成为工业自动化、新能源和电力电子系统中的理想选择。