IXSK50N60 时间：2025/8/5 17:57:46 阅读：28

IXSK50N60 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和高开关速度的特性，适用于诸如电源转换器、电机控制、工业自动化和开关电源等应用。该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有良好的热管理和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.15Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3V~5V
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXSK50N60 的核心特性包括其高耐压能力和大电流处理能力，使其适用于各种高功率场景。该 MOSFET 的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升系统性能。
　　该器件采用了先进的平面技术，提供了优异的热稳定性和可靠性。TO-247 封装设计便于散热，确保在高功率环境下依然能够稳定运行。此外，IXSK50N60 还具备良好的抗短路能力和过载保护能力，增强了系统的安全性。
　　在电气性能方面，IXSK50N60 具有较高的栅极阈值电压（VGS(th)），使其在栅极驱动电路设计中更具灵活性。同时，该器件的反向恢复时间较短，适用于高频开关应用。此外，它还具有较低的漏极电容（Coss），有助于提高开关速度并减少高频损耗。

应用

IXSK50N60 通常用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。其典型应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器以及各种工业自动化设备。在这些应用中，该 MOSFET 可以作为主开关器件，实现高效的能量转换和管理。
　　此外，IXSK50N60 还适用于高频 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器，特别是在需要高效率和小尺寸设计的场合。在太阳能逆变器中，该器件能够承受较大的电压和电流波动，同时保持较高的转换效率。由于其良好的热管理和抗短路能力，该 MOSFET 也被广泛用于汽车电子系统、LED 照明驱动器和电池管理系统中。