时间：2025/8/6 10:43:38
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IXSH50N60B是一款由IXYS公司设计的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有高耐压、低导通电阻以及优异的热性能，适用于如电源转换器、电机驱动器、UPS系统等工业电子设备。IXSH50N60B采用了TO-247封装，能够承受高达600V的漏极-源极电压（VDS），并提供高达50A的连续漏极电流（ID），是一款性能稳定且广泛使用的功率MOSFET。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：600V
最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
最大连续漏极电流（ID）@25°C：50A
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻（RDS(on)）：最大0.17Ω
栅极电荷（Qg）：160nC
输入电容（Ciss）：1750pF
输出电容（Coss）：400pF
反向恢复时间（trr）：300ns
IXSH50N60B具有多项优异的电气和热性能，使其在多种高功率应用中表现出色。首先，该器件的最大漏极-源极电压为600V，使其能够在高电压环境中可靠工作，而不会出现击穿或过早失效。其次，其最大连续漏极电流为50A，在适当的散热条件下可以持续工作，满足高功率需求。该器件的导通电阻（RDS(on)）典型值为0.17Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗较小，从而提高了整体效率并减少了散热要求。
此外，IXSH50N60B具备较高的栅极电荷（Qg）和输入电容值，这在高频开关应用中可能需要较大的驱动功率，但同时也确保了良好的稳定性和抗干扰能力。其反向恢复时间（trr）为300ns，表明该器件在开关过程中具有较快的恢复能力，适用于高频开关电路。
在封装方面，IXSH50N60B采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于需要高功率密度和良好热管理的设计。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件下的稳定运行。
IXSH50N60B因其高耐压、大电流承载能力和优异的热管理性能，被广泛应用于多个高功率电子系统中。首先，它常见于电源转换器设计中，如DC-DC转换器、AC-DC电源模块和开关电源（SMPS）等，用于实现高效的能量转换。其次，该MOSFET在电机驱动器和逆变器中也有广泛应用，尤其适用于工业自动化、电动汽车和电动工具等需要大功率控制的场合。
此外，IXSH50N60B也适用于不间断电源（UPS）系统，用于在主电源失效时快速切换至备用电源，确保系统持续运行。在可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）中，该器件也可作为主开关元件，用于高效地将直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
由于其高可靠性，IXSH50N60B也被广泛用于焊接设备、电镀电源、激光驱动器等特种工业设备中，提供稳定而高效的功率控制能力。
STP55N650FD, FQA50N60, IRFP460LC
