时间：2025/8/5 19:25:35
阅读：32
IXSH30N60A 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的应用场景。该器件采用 TO-247 封装形式，具有良好的导热性能和较高的可靠性。适用于工业电源、电机控制、电源转换、UPS 和太阳能逆变器等电力电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：600V
最大漏极电流 Id：30A
漏源导通电阻 Rds(on)：典型值 0.14Ω（最大值 0.17Ω）
栅极电压 Vgs：±30V
最大功耗 Pd：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXSH30N60A MOSFET 器件具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其高电压耐受能力达到 600V，使其适用于中高压电源转换系统。其次，漏源导通电阻 Rds(on) 低至 0.14Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的电流承受能力，连续漏极电流可达 30A，适用于高功率应用。其 TO-247 封装形式不仅提供了良好的热管理，还便于安装在散热器上，确保长时间运行的稳定性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±30V，确保在各种驱动条件下保持稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应了工业级的环境要求，具备较强的环境适应性。同时，器件内部结构优化设计，降低了开关损耗，提高了整体性能。
IXSH30N60A 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了其在恶劣工况下的可靠性。适合用于硬开关和软开关拓扑结构，如半桥、全桥、推挽和反激式变换器等电路设计。这些特性使其成为高功率电源系统设计中的理想选择。
IXSH30N60A 主要应用于需要高电压、高电流能力的电力电子设备中。常见应用包括工业电源、电机驱动器、UPS 不间断电源、太阳能逆变器、电焊机、DC-DC 转换器以及各种类型的功率因数校正（PFC）电路。由于其良好的导热性能和稳定的工作特性，该器件也广泛用于高频开关电源及功率调节系统中。
IXSH30N60AFR、IXSH30N60CD、IXFN30N60P、STW34NB20、IRFP460LC、SiHPx30N60EFR
