时间：2025/8/6 8:54:33
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IXSH20N60B2D1是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET晶体管，设计用于高电压和高电流的应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源转换、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：20A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
最大功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXSH20N60B2D1具备低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。其高耐压能力使其适用于高电压电源应用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。该器件的封装设计提供了良好的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和逆变器应用。
该MOSFET还具有较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于减少开关损耗并提高系统效率。其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路。此外，该器件在高温下仍能保持良好的性能，适合在恶劣环境中使用。
IXSH20N60B2D1广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电机驱动器、照明镇流器以及工业控制系统中。由于其高耐压和低导通电阻的特性，特别适合用于高效率电源转换和功率因数校正（PFC）电路。
IRF840, FDPF20N60, STP20N60
