时间：2025/8/6 1:39:04
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IXRH25N120是由IXYS公司生产的一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高性能功率开关应用，具备优异的导通和开关性能。其最大漏源电压（VDS）为1200V，最大漏极电流（ID）为25A，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：25A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247AC
功率耗散（PD）：300W
IXRH25N120具有多项优异特性，使其适用于高功率和高可靠性应用。首先，其高耐压能力（1200V）使其能够在高压系统中稳定运行，如工业电源、逆变器和电机驱动器。其次，低导通电阻（RDS(on)）确保了较低的导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下工作，增强了系统的可靠性。
该器件采用TO-247AC封装，提供了良好的散热性能，并且易于安装在散热片上，以确保长时间运行的稳定性。其栅极驱动特性较为宽泛，适用于多种驱动电路设计，同时具备良好的抗干扰能力，降低了误触发的风险。
IXRH25N120还具备快速开关能力，降低了开关损耗，从而进一步提高了系统的能效。这使得该器件特别适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、UPS系统和太阳能逆变器。
IXRH25N120广泛应用于各种高功率电子系统中，如工业电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、太阳能光伏逆变器以及高功率DC-DC转换器。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它也适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备。此外，在电动汽车充电系统和工业自动化设备中，该器件也常用于主开关电路和功率调节模块。
IXFH25N120, IRGP50B120KD, STY25N120-AM
