时间：2025/8/6 2:18:50
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IXPQ96N20P是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，主要用于高性能电源管理和功率转换应用。该器件设计用于在高频率和高效率条件下工作，适用于如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电源管理系统等场景。IXPQ96N20P采用了先进的沟槽技术，提供了卓越的导通电阻和开关性能的平衡，使其在高负载条件下仍能保持良好的热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：96A
最大漏源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值）
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXPQ96N20P的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率；高电流承载能力，使其适用于高功率密度设计；宽工作温度范围，保证了在极端环境下仍能稳定工作；以及优化的开关性能，降低开关损耗。该器件的封装设计有助于散热，适合用于需要高效热管理的应用。此外，IXPQ96N20P具有良好的雪崩能量承受能力，提高了在过载或短路条件下的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间正常工作，允许灵活的驱动电路设计。同时，该器件的结构优化减少了寄生电感和电容，从而改善了高频操作下的性能表现。
由于采用了先进的硅技术和封装设计，IXPQ96N20P在高温环境下依然能够保持稳定的电气性能，延长了使用寿命并提高了系统的可靠性。
IXPQ96N20P广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、服务器电源、电动汽车充电系统、电池管理系统、电机驱动器以及太阳能逆变器等。由于其高效率和高可靠性的特点，该器件也常用于需要快速开关和高效能转换的场合，例如同步整流电路和DC-DC变换器中的主开关元件。
IXFH96N20P, IXFP96N20P
