类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：75A
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ
　　栅极电荷（Qg）：60nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

IXPQ75N10P 采用先进的封装和制造技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能。其主要特点包括：
　　1. 低导通电阻：10mΩ 的 RDS(on) 降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　2. 高电流能力：75A 的漏极电流使其适用于高功率密度设计。
　　3. 高频率操作：60nC 的栅极电荷支持高频开关操作，适用于高效 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　4. 优化的封装：TO-263 封装形式提供良好的散热性能，适用于高功率应用场景。
　　5. 高可靠性：器件在 -55°C 至 175°C 的温度范围内稳定工作，适合严苛环境下的应用。
　　6. 符合 RoHS 标准：该器件符合环保法规，适合绿色电子产品设计。

IXPQ75N10P 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理：用于高效 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，提高电源系统的效率和稳定性。
　　2. 电机驱动：在工业自动化和电机控制中，作为高功率开关使用。
　　3. 汽车电子：包括车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统等。
　　4. 工业设备：用于 UPS（不间断电源）、逆变器和高频电源供应器。
　　5. 太阳能逆变器：在光伏系统中，用于将直流电转换为交流电，提高能源转换效率。
　　6. 通信设备：为基站和网络设备提供高效率的电源解决方案。

IPW75N10P, IXTQ75N10P, IXPQ65N10P