类型：功率MOSFET
　　沟道类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：1000V
　　漏极电流（Id）：35A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.26Ω（最大）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Pd）：400W
　　漏源击穿电压（BVDSS）：1000V

IXPN35N100A MOSFET的关键特性之一是其高耐压能力，能够在1000V的漏源电压下稳定工作，这使其适用于高电压应用。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）值，最大为0.26Ω，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。该MOSFET还具有良好的热管理性能，能够承受较高的功耗，其最大功率耗散为400W。TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度。此外，IXPN35N100A具备快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统效率。该器件的栅极电压范围为±30V，具有较强的栅极抗扰能力，适合各种驱动电路。IXPN35N100A还具有抗雪崩击穿能力和较高的可靠性，适用于工业级应用环境。

IXPN35N100A广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于主开关元件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，它用于高频开关操作，以提高转换效率并减小电源体积。在电机驱动和逆变器应用中，IXPN35N100A可作为功率开关元件，控制电机的转速和方向。此外，该器件还可用于高电压负载开关、电池管理系统和太阳能逆变器等应用。由于其高可靠性和良好的热性能，IXPN35N100A也适用于需要长时间稳定运行的工业控制和自动化设备。

STF35N100, FGP35N100ANA