时间：2025/8/5 20:52:48
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IXLN35N120A 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，使其在电源转换、电机控制和工业自动化等领域中表现优异。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）：35A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 125mΩ
封装类型：TO-247AC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
IXLN35N120A 具有出色的开关性能和较低的导通损耗，使其在高功率应用中非常高效。其高耐压能力（1200V）使其适用于高压电源转换器和电机控制电路。此外，该 MOSFET 的封装设计（TO-247AC）提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与多种驱动电路兼容。
此外，IXLN35N120A 在高温环境下仍能保持稳定性能，适合工业级应用。该器件还具备较高的短路耐受能力，提高了系统在异常条件下的可靠性。
IXLN35N120A 广泛应用于高功率电源转换设备，如 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。此外，它也常用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电动汽车充电设备中。由于其优异的电气性能和可靠性，该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和长寿命的电子系统。
IXFN36N120, STYF35N120, FGL40N120
