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IXLN35N120A 发布时间 时间:2025/8/5 20:52:48 查看 阅读:47

IXLN35N120A 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,使其在电源转换、电机控制和工业自动化等领域中表现优异。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):1200V
  连续漏极电流(ID):35A
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为 125mΩ
  封装类型:TO-247AC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IXLN35N120A 具有出色的开关性能和较低的导通损耗,使其在高功率应用中非常高效。其高耐压能力(1200V)使其适用于高压电源转换器和电机控制电路。此外,该 MOSFET 的封装设计(TO-247AC)提供了良好的散热性能,有助于在高负载条件下保持稳定运行。器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),便于与多种驱动电路兼容。
  此外,IXLN35N120A 在高温环境下仍能保持稳定性能,适合工业级应用。该器件还具备较高的短路耐受能力,提高了系统在异常条件下的可靠性。

应用

IXLN35N120A 广泛应用于高功率电源转换设备,如 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。此外,它也常用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统以及电动汽车充电设备中。由于其优异的电气性能和可靠性,该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和长寿命的电子系统。

替代型号

IXFN36N120, STYF35N120, FGL40N120

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