时间：2025/12/26 20:13:25
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IXKP13N60C5是一款由IXYS公司生产的高电压、高功率的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统中。该器件采用TO-247封装，具备优良的热性能和电流承载能力，适用于工业电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器以及感应加热等高功率场景。IXKP13N60C5的设计基于先进的平面栅极技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高压应用中实现较低的导通损耗和开关损耗。其额定电压为600V，连续漏极电流可达13A，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，适合在恶劣工作环境下长期稳定运行。此外，该MOSFET具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少高频开关过程中的能量损耗，提高系统整体效率。器件还内置了快速恢复体二极管，增强了在感性负载切换时的可靠性，避免因反向电动势造成的损坏。由于其出色的电气特性和坚固的封装设计，IXKP13N60C5成为许多中高端功率电子设备中的关键元件之一。
型号：IXKP13N60C5
制造商：IXYS (现属于Littelfuse)
器件类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600 V
最大漏极电流（Id）：13 A（连续）
脉冲漏极电流（Idm）：52 A
最大栅源电压（Vgs）：±30 V
导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.78 Ω（@ Vgs = 10 V, Id = 6.5 A）
阈值电压（Vth）：典型值 4.0 V（范围 3.0 ~ 5.0 V）
栅极电荷（Qg）：典型值 93 nC（@ Vds = 480 V, Id = 13 A）
输入电容（Ciss）：典型值 1300 pF（@ Vds = 25 V）
输出电容（Coss）：典型值 230 pF（@ Vds = 25 V）
反向恢复时间（trr）：典型值 150 ns（体二极管）
最大工作结温（Tj）：150 °C
封装形式：TO-247AC
功耗（Ptot）：200 W（Tc = 25°C）
IXKP13N60C5具备多项优异的电气与物理特性，使其在高功率开关应用中表现出色。首先，其600V的高击穿电压使其适用于多种离线式电源拓扑结构，如反激、正激、半桥和全桥变换器，能够在电网电压波动或瞬态过压条件下保持稳定工作。其次，该器件的导通电阻Rds(on)控制在0.78Ω左右，在同类高压MOSFET中处于较优水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效。
该MOSFET采用了先进的平面栅极制造工艺，确保了良好的均匀性和重复性，同时优化了载流子迁移路径，提高了器件的开关速度和耐久性。其栅极电荷Qg仅为93nC，意味着驱动电路所需提供的能量较小，有利于降低驱动损耗并简化驱动设计，尤其适合高频开关场合。此外，低输入和输出电容（Ciss和Coss）减少了开关过程中的充放电时间，进一步提升了开关频率上限和动态响应能力。
另一个重要特性是其内置的快速恢复体二极管，具备约150ns的反向恢复时间，在处理感性负载或进行续流操作时可有效抑制电压尖峰和振荡现象，防止器件发生二次击穿或热失控。这种集成特性不仅节省了外部分立二极管的空间和成本，也提高了系统的紧凑性和可靠性。
TO-247封装提供了优异的散热性能和机械强度，允许器件在高温环境下长时间运行。其高达200W的功耗能力（在壳温25°C下）表明其具有较强的热管理能力，配合适当的散热片使用，可在工业级温度范围内稳定工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造要求。
IXKP13N60C5广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在开关电源领域，它常用于AC-DC和DC-DC转换器的主开关管，特别是在功率等级为500W至2kW之间的电源模块中表现优异。由于其高耐压和良好开关特性，该器件非常适合用于PFC（功率因数校正）升压电路中，帮助提升系统功率因数并满足EMI法规要求。
在电机驱动应用中，IXKP13N60C5可用于中小功率交流变频器或伺服驱动器的逆变桥臂，实现对电机转速和扭矩的精确控制。其快速开关能力和抗浪涌电流特性使其能够应对电机启动和制动过程中产生的大电流冲击。
此外，该器件也被广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和感应加热设备中。在这些系统中，MOSFET需要频繁地进行高速开关操作，而IXKP13N60C5凭借其低开关损耗和高可靠性，能够有效延长设备使用寿命并提高能量转换效率。
由于其坚固的封装和宽泛的工作温度范围，该器件还适用于工业自动化、医疗电源、电焊机等对安全性和稳定性要求较高的场合。无论是连续运行还是间歇工作模式，IXKP13N60C5均能提供稳定的性能表现，是工程师在设计高压功率电路时的重要选择之一。
STP13N60M5
SPW35N60CFD
FQP13N60C
