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IXKN45N80C 发布时间 时间:2025/8/6 12:36:04 查看 阅读:29

IXKN45N80C 是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流N沟道MOSFET功率晶体管,适用于高功率开关和电源转换器等应用。该器件具有优良的热性能和高可靠性,适合在高频率和高功率条件下运行。其主要设计用于工业电源、逆变器、电机控制和电源管理系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):800V
  漏极电流(ID):45A(连续)
  栅源电压(VGS):±30V
  功耗(PD):300W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247
  导通电阻(RDS(on)):0.135Ω(最大)
  栅极电荷(Qg):90nC(典型)
  输入电容(Ciss):2800pF(典型)

特性

IXKN45N80C具备多项高性能特性,适用于高要求的功率电子系统。其高压能力(800V VDS)使得该MOSFET非常适合用于高电压电源转换系统,如DC-DC转换器、AC-DC整流器以及电机驱动器。器件的低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,IXKN45N80C的高电流承载能力(45A连续漏极电流)允许其在大功率应用中稳定工作。
  该MOSFET采用TO-247封装,具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,提高器件寿命和可靠性。其高栅极电荷(Qg)意味着在高频开关应用中需要较大的驱动功率,因此建议使用适当的栅极驱动电路以优化开关性能。
  IXKN45N80C还具有良好的雪崩击穿耐受能力,能够在瞬态过压条件下提供一定的保护,防止器件损坏。这一特性使其在电机控制、感应负载开关和高能脉冲应用中表现出色。此外,该器件的宽工作温度范围(-55°C至150°C)使其适用于各种恶劣环境条件下的工业应用。

应用

IXKN45N80C广泛应用于多种高功率电子设备中,包括但不限于:
  ? 工业电源和开关电源(SMPS)
  ? 电机驱动和逆变器系统
  ? 电池充电器和能量存储系统
  ? 高压DC-DC转换器
  ? 照明镇流器和LED驱动器
  ? 电机控制和工业自动化设备
  ? 电源管理系统和UPS(不间断电源)
  由于其高电压和大电流能力,IXKN45N80C在需要高效能功率开关的系统中尤为受欢迎。该器件适用于高频率开关操作,能够有效减少系统体积并提高效率。

替代型号

? IRF840(参数相近,但需注意电压/电流限制)
  ? IXFP45N80(同封装,性能相近)
  ? FQA40N80(封装兼容,导通电阻略高)
  ? STF45N80(性能相似,可作为替代选项)

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IXKN45N80C参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C74 毫欧 @ 44A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs360nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件