IXKN45N80 时间：2025/8/5 22:38:20 阅读：23

IXKN45N80 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的电力电子应用中。该器件具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于需要高效能和高可靠性的电源系统，如电源转换器、电机控制、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。该 MOSFET 采用 TO-247 封装形式，具有良好的散热性能，能够在高功率环境下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：800 V
　　最大漏极电流 Id：45 A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.17 Ω
　　栅极电荷 Qg：120 nC（典型）
　　最大功耗 Pd：300 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　最大栅源电压 Vgs：±30 V

特性

IXKN45N80 具备出色的电气性能和稳定性，其最大漏源电压达到 800V，使其适用于高压直流和交流电源转换系统。其导通电阻较低，典型值为 0.17Ω，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的栅极电荷为 120nC，虽然相对较高，但仍然适合中高频开关应用。TO-247 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于在高功率密度电路中进行散热设计。该 MOSFET 还具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而增强系统的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也确保了在极端环境下的稳定表现。此外，IXKN45N80 的封装设计符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品制造。
　　该器件还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提升系统效率。其高耐压能力使其特别适合用于功率因数校正（PFC）电路、DC-DC 转换器以及逆变器等应用场景。由于其高稳定性和可靠性，IXKN45N80 被广泛应用于工业电源、通信电源、新能源系统（如光伏逆变器）等领域。

应用

IXKN45N80 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、功率因数校正（PFC）模块、逆变器、电机驱动系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业自动化控制系统等。其高耐压、低导通电阻和良好的热性能使其成为需要高效能和高可靠性的电力电子系统中的理想选择。