IXKH70N60C5 时间：2025/8/6 12:52:13 阅读：18

IXKH70N60C5 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的高压技术，具备出色的导通性能和低开关损耗，适用于工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动和太阳能逆变器等高要求的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：70A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.125Ω
　　栅极电荷：典型值 135nC
　　最大功耗：300W
　　封装形式：TO-247

特性

IXKH70N60C5 具备多项优良的电气特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备高耐压能力（600V），能够适应多种高电压工作环境。其设计中还包含了出色的热稳定性，确保在高负载条件下也能保持稳定的性能。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，从而提高了整体系统的可靠性和耐用性。
　　在封装方面，IXKH70N60C5采用TO-247封装形式，这种封装不仅便于安装和散热，还能有效提升器件在高功率环境下的稳定性和耐久性。该封装结构具备良好的热传导性能，使得器件在高电流工作条件下仍能保持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体能效。这对于高频开关应用尤为重要，因为它能够有效降低开关损耗，提高转换效率。同时，该器件还具备良好的线性工作区域，适用于需要高精度电流控制的应用场合。

应用

IXKH70N60C5 主要应用于高功率电源系统，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器和工业自动化设备。在这些应用中，它能够提供高效、稳定的功率转换，满足高效率和高可靠性的需求。此外，该MOSFET也可用于高频DC-DC转换器、电池充电系统和各种功率控制电路中，帮助提升整体系统性能。