IXKH30N60C5 时间：2025/8/6 9:51:27 阅读：17

IXKH30N60C5 是一款由IXYS公司生产的高功率、高电压的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高性能开关应用设计，具有较低的导通电阻和优异的热性能，适合用于高效率的电源转换系统。IXKH30N60C5采用了TO-247封装，便于散热，适用于高功率密度的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXKH30N60C5具有多个高性能特性，包括低导通电阻、高耐压能力和强大的热管理能力。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流下仍然具有较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。
　　此外，该器件的600V高漏极-源极电压使其适用于高电压开关应用，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器和电机驱动系统。
　　IXKH30N60C5采用TO-247封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定的工作温度。其高栅极电压容限（±30V）增强了在高噪声环境下的可靠性，防止栅极击穿。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适合高频应用，减少了开关损耗并提高了响应速度。综合这些特性，IXKH30N60C5是一款适合高功率、高电压应用的理想选择。

应用

IXKH30N60C5广泛应用于各类高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）模块、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备。此外，该器件也适用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。由于其高可靠性和优异的热性能，IXKH30N60C5在需要高效能和高稳定性的工业与电力电子系统中表现出色。