时间：2025/8/6 0:30:13
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IXKC19N60C5是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。该器件采用了先进的硅技术，提供优异的导通和开关性能，适用于各种高功率电子设备。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
额定漏极电流（Id）：19A
导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Ptot）：180W
IXKC19N60C5具有低导通电阻，可减少导通损耗并提高效率。其高电压和高电流能力使其适用于严苛的工业和电力电子环境。此外，该MOSFET具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
该器件还具备快速开关特性，适用于高频应用，同时其TO-247封装有助于实现良好的散热性能。IXKC19N60C5的栅极驱动要求较低，适合与多种驱动电路兼容。
IXKC19N60C5广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统、照明镇流器以及工业自动化设备中。其高电压和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。
STF19NM60N, IRFGB40N60HD1, FCP19N60E
