您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXGX35N120B

IXGX35N120B 发布时间 时间:2023/3/6 14:31:20 查看 阅读:442

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: PLUS247


目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: PLUS247

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

    集电极—射极饱和电压: 3.3 V

    栅极/发射极最大电压: 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 70 A

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C


资料

厂商
IXYS

IXGX35N120B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXGX35N120B参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.3V @ 15V,35A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)70A
  • 功率 - 最大350W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件