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IXGX320N60A3 发布时间 时间:2025/12/26 20:50:00 查看 阅读:14

IXGX320N60A3是一款由Littelfuse(原International Rectifier)推出的高功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高电压、大电流的工业功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅场停止(Trench Gate Field-Stop)技术,具备优异的开关性能和导通特性,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。IXGX320N60A3的额定电压为600V,连续集电极电流可达320A,是高功率逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)、感应加热和焊接设备等应用中的理想选择。
  该IGBT通常用于模块化或分立式功率电路中,能够承受较高的热应力和电气应力,具有良好的短路耐受能力和热稳定性。其封装形式为标准的螺钉式平板封装(Flat Base Package),便于安装在大型散热器上,确保在高负载条件下有效散热。此外,该器件具备较低的导通压降(Vce(sat))和优化的开关损耗,有助于提升系统整体效率并减少对冷却系统的要求。
  IXGX320N60A3不集成反并联二极管,因此在需要续流功能的应用中,需外接快速恢复二极管或使用带有二极管的IGBT模块。由于其高性能参数和坚固的封装设计,该器件广泛应用于工业级电源系统中,尤其适合在恶劣工作环境下长期稳定运行。

参数

型号:IXGX320N60A3
  类型:IGBT
  最大集射极电压(Vces):600V
  最大集电极电流(Ic):320A
  最大脉冲集电极电流(Icm):640A
  最大栅射极电压(Vges):±20V
  集射极饱和电压(Vce(sat) @ Ic=320A, Vge=15V):约1.75V
  开关时间(开启时间 Ton):约120ns
  开关时间(关断时间 Toff):约380ns
  工作结温范围(Tj):-40°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +150°C
  热阻结到外壳(Rthjc):约0.12°C/W
  封装类型:平板式(Flat Base)
  是否内置反并联二极管:否

特性

IXGX320N60A3采用了先进的沟槽栅与场截止层技术,这种结构显著降低了器件的导通压降和开关损耗。沟槽栅设计优化了载流子注入效率,提高了跨导,从而在相同电流下实现更低的Vce(sat),减少了导通状态下的功率损耗。场截止层则有效控制了电场分布,提升了击穿电压的稳定性,并降低了拖尾电流,从而改善了关断过程中的能量损耗。这些技术的结合使得该IGBT在高频开关应用中仍能保持较高的能效表现。
  该器件具备出色的热性能和机械稳定性。其平板式封装设计不仅增强了与散热器之间的热传导效率,还提高了在高温、高湿和振动环境下的可靠性。通过优化内部键合线布局和芯片固定工艺,IXGX320N60A3能够有效应对热循环引起的应力,防止因热疲劳导致的早期失效。此外,器件的高短路耐受能力(通常可达10μs以上)使其在突发过流或负载突变情况下仍能安全运行,提升了系统的鲁棒性。
  在电气特性方面,IXGX320N60A3具有稳定的栅极阈值电压和低输入电容,便于驱动电路设计。其栅极电荷(Qg)相对较低,减少了驱动功率需求,兼容常见的IGBT驱动器IC。同时,器件的正温度系数Vce(sat)特性有利于多管并联使用时的电流均衡,避免局部过热问题。总体而言,该IGBT在高功率密度、高效率和高可靠性要求的应用场景中表现出色,是工业电力电子系统中的关键组件之一。

应用

IXGX320N60A3广泛应用于各类高功率电力转换系统中。在工业电机驱动领域,它被用于构建中高压变频器,实现对交流电机的精确调速与节能控制,常见于泵、风机、压缩机和传送带系统中。在不间断电源(UPS)系统中,该IGBT作为逆变器的核心开关元件,负责将直流电高效转换为纯净的正弦波交流电,保障关键负载的持续供电。
  在可再生能源系统中,IXGX320N60A3可用于太阳能逆变器和风力发电变流器,处理数百安培级别的电流转换任务,支持电网级能量回馈。此外,在感应加热设备如金属熔炼炉、淬火装置和电磁炉中,该器件凭借其快速开关能力和高耐压特性,能够实现高效的能量耦合与温度控制。
  在电焊机电源中,IXGX320N60A3用于构建全桥或半桥拓扑结构,提供稳定的电弧输出,满足不同焊接工艺的需求。其高电流承载能力和抗冲击性能特别适合频繁启停和瞬态过载的工作模式。同时,该IGBT也适用于大功率DC-DC变换器、有源滤波器(APF)和动态电压恢复器(DVR)等高端工业电源设备,支撑现代智能电网和自动化系统的发展需求。

替代型号

IXGN320N60B2
  IXGH320N60B2
  FF300R06KE3

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IXGX320N60A3参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.25V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)320A
  • 功率 - 最大1000W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件