时间：2025/8/6 11:45:16
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IXGT4N250C 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管），专为高功率应用设计。它结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通压降特性，适用于需要高效率和高可靠性的场合。
类型：N 沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：2500V
最大集电极电流（IC）：4A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
栅极-发射极电压（VGE）：±20V
短路耐受能力：有
IXGT4N250C 采用先进的沟槽栅技术和场截止技术，提供较低的导通压降和开关损耗。该器件具有良好的热稳定性和短路保护能力，能够在高电压和高电流条件下稳定运行。
其高可靠性和耐用性使其适用于多种高功率应用，如逆变器、电源转换器、电机驱动和焊接设备。此外，该 IGBT 的封装设计确保了良好的散热性能，从而提高了整体系统效率。
这款 IGBT 还具有良好的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。其栅极驱动简单，易于集成到现有的功率电子系统中。IXGT4N250C 的设计目标是提供高效率和长寿命，适合用于需要高可靠性和高性能的工业和消费类电子产品。
IXGT4N250C 常用于逆变器、电源转换器、电机驱动、焊接设备、工业控制系统和高功率电源管理设备中。其高耐压和高电流能力使其成为高压功率电子系统中的关键组件。
IXGT4N250C 的替代型号包括 IXGT4N250 和 IXGT4N250D，它们在性能和参数上相近，可以作为替代选择。
