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IXGT32N170 T&R 发布时间 时间:2025/8/5 17:29:25 查看 阅读:9

IXGT32N170 T&R 是由 Littelfuse(前身为IXYS Corporation)制造的一款高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高压和高电流应用设计。该器件采用TO-247封装,并具有高耐压能力和优异的热稳定性。T&R 表示该器件是以卷带(Tape and Reel)形式供应,适用于自动化贴片机生产流程。

参数

类型:IGBT(绝缘栅双极晶体管)
  集电极-发射极电压(Vce):1700V
  集电极电流(Ic):32A
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247
  栅极电压(Vge):±20V
  短路耐受能力:有
  功率耗散(Pd):200W

特性

IXGT32N170 T&R 是一款高性能IGBT,具备出色的导通和开关性能。其最大集电极-发射极电压为1700V,能够在高压环境下稳定工作。该器件的最大集电极电流为32A,适用于需要较高电流承载能力的应用场景。在热性能方面,该IGBT可在-55°C至150°C的温度范围内正常工作,表现出良好的热稳定性和可靠性。
  此外,该IGBT的栅极电压范围为±20V,具有较强的抗干扰能力。其短路耐受能力使得在异常工作条件下仍能保持一定稳定性,减少了意外损坏的风险。该器件的功率耗散为200W,适合高功率密度设计。采用TO-247封装,便于安装和散热管理,适用于各种高功率电子系统。

应用

IXGT32N170 T&R 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电焊设备。其高压耐受能力使其在新能源和智能电网领域也有广泛应用。由于其高可靠性和良好的热管理性能,该器件特别适合在恶劣工作环境中使用。

替代型号

IXGT32N170T4、IXGT32N170T4-T、IXGH32N170T2、IXGH32N170T2-T

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IXGT32N170 T&R参数

  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.3V @ 15V,32A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大350W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IXGT32N170TR