类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：600V
　　最大栅极电压(Vgss)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：28A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

IXGT28N60B具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其最大漏极电压达到600V，可以满足高压应用的需求，例如在AC-DC转换器中处理高输入电压。其次，该MOSFET的最大漏极电流为28A，能够支持较大的负载电流，适用于大功率电源和电机控制应用。
　　此外，该器件的导通电阻Rds(on)典型值为0.22Ω，较低的导通电阻意味着更低的导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。IXGT28N60B采用了先进的沟槽式技术，进一步优化了导通性能，并提供了更好的热稳定性和可靠性。
　　在封装方面，IXGT28N60B采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。同时，该器件的栅极电压容限为±20V，允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作，提高了设计的灵活性。工作温度范围为-55°C至+150°C，表明该MOSFET在极端环境条件下也能保持稳定性能，适用于工业级和汽车级应用。
　　为了确保长期可靠性，IXGT28N60B通过了多项行业标准测试，并具备优异的抗雪崩击穿能力。这种能力对于防止因瞬态电压尖峰导致的器件损坏至关重要，尤其是在开关感性负载时。同时，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。

IXGT28N60B广泛应用于多种功率电子系统中。在电源领域，该器件常用于开关电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器，能够高效处理高电压和大电流。由于其高耐压能力和较低的导通电阻，IXGT28N60B在电源设计中能够减少能量损耗并提高整体效率。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于电机驱动和变频器系统。由于其能够承受较高的连续工作电流和瞬态电流，IXGT28N60B在电机控制应用中表现出良好的稳定性和可靠性。此外，该器件也适用于工业自动化设备中的功率开关模块，用于控制大功率负载。
　　另外，IXGT28N60B还常用于不间断电源(UPS)、光伏逆变器和电池管理系统(BMS)等新能源应用。在这些系统中，该MOSFET能够提供高效的功率转换和稳定的运行性能，有助于提升系统的整体能效和寿命。
　　在消费类电子产品中，IXGT28N60B也可用于高功率适配器和LED照明驱动电路，满足对高效率和小型化设计的需求。

IXFH28N60P, IRFBG28N60KPBF, FCP28N60