时间：2025/8/5 19:40:09
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IXGT28N30是一种高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。这种MOSFET设计用于高电压和高电流的应用，其最大漏源电压（VDS）为300V，连续漏极电流（ID）为28A。IXGT28N30采用了先进的平面技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能，适用于需要高性能和可靠性的工业和电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：300V
连续漏极电流（ID）：28A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.18Ω
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGT28N30具有多个显著的特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的效率。其次，该器件具有快速开关能力，使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，IXGT28N30具有较高的热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。该器件的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高电流应用中的可靠性。最后，IXGT28N30具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保护器件免受损坏。
IXGT28N30广泛应用于多种高功率电子设备中，包括电源转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电池充电器和太阳能逆变器。其高电压和高电流能力使其成为工业自动化系统和电力电子设备的理想选择。由于其快速开关特性和低导通电阻，IXGT28N30也常用于高频开关电源和DC-DC转换器中，以提高系统的效率和性能。
IXFH28N30P, IXGN28N30T
