IXGT120N60B 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于需要高电流和高电压能力的电力电子应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性,适用于电机控制、逆变器、UPS 系统以及各种工业功率控制设备。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):600V
额定集电极电流(IC):120A
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247AC
栅极阈值电压(VGE(th)):约 5.5V
导通压降(VCEsat):约 2.1V(在 IC=120A)
短路耐受能力:有
隔离电压:2500V(封装)
IXGT120N60B 具有出色的导通和开关性能,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其先进的芯片技术优化了导通压降与开关损耗之间的平衡,有助于提高系统效率并减少散热设计的复杂度。
该 IGBT 还具备良好的短路耐受能力,提高了设备在异常工作条件下的可靠性。TO-247AC 封装提供了良好的热管理和电气绝缘,适合工业级应用的需求。
此外,IXGT120N60B 的栅极驱动简单,与标准 MOSFET 驱动器兼容,便于设计和集成到现有的功率电路中。
IXGT120N60B 常用于各种电力电子系统中,包括交流电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备、电能质量调节装置以及可再生能源系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)。
由于其高可靠性和强大的电流处理能力,它也广泛应用于工业自动化和电力控制系统中,特别是在需要高频开关和高效能转换的场合。
IXGH120N60B3, IXGH120N60B4, FF120R60KS4