时间：2025/8/5 15:24:57
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IXGR72N60B3D1是一款由IXYS公司生产的高功率密度、高效能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高功率应用，如电源转换器、电机控制和工业自动化系统。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：72A
最大漏极-源极电压：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.072Ω（最大）
栅极电荷：160nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功耗：300W
IXGR72N60B3D1具备多个优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件的高电流承载能力和高耐压能力，使其适用于高功率密度设计，可以在严苛的环境下稳定工作。
此外，IXGR72N60B3D1采用先进的平面技术制造，提供优异的短路和过热保护性能，增强了系统的可靠性和寿命。其高热稳定性也使得该器件能够在高负载条件下保持良好的性能。
该MOSFET还具备较低的开关损耗，有助于提高开关频率，从而减小外部元件的尺寸和重量，使系统设计更加紧凑。同时，其TO-247封装形式便于安装和散热，适用于各种高功率应用场景。
IXGR72N60B3D1广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。其中包括工业电源、电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。该器件的高效能和高可靠性使其成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元件。
IXGR72N60B3D1G, IXGN72N60B3D1, IXFN72N60Q
