时间：2025/8/6 1:01:27
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IXGR50N60C2是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于工业电源、电机驱动、电动汽车充电器以及太阳能逆变器等应用。IXGR50N60C2采用TO-247封装形式，提供良好的散热能力和机械稳定性，适合在恶劣环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：0.12Ω
栅极电荷(Qg)：80nC
最大功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGR50N60C2具有多项显著特性，首先其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，这对于高功率应用场景尤为重要。
其次，该MOSFET具备高耐压能力（600V），可在高压环境下稳定运行，适合工业电源、太阳能逆变器等高压应用。
此外，该器件的高电流承载能力（50A）使其适用于高功率负载电路，如电机控制和电动汽车充电系统。
IXGR50N60C2采用了先进的平面MOSFET技术，具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。
TO-247封装不仅提供了优异的散热性能，还具备良好的机械强度，确保器件在复杂环境中的稳定性。
此外，该器件的栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，从而提升整体能效。
最后，IXGR50N60C2具备较高的短路耐受能力，提高了器件在异常工况下的可靠性。
IXGR50N60C2广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于工业电源、电机驱动器、直流-交流逆变器、电动汽车充电设备、太阳能光伏逆变器以及UPS不间断电源系统。
在工业电源领域，该MOSFET可用于高效率的开关电源设计，提供稳定可靠的功率转换。
在电机驱动方面，IXGR50N60C2能够支持高功率电机的控制，适用于工业自动化和机器人系统。
对于电动汽车充电器，其高电流和高电压特性使其成为理想的功率开关元件，有助于提高充电效率并减少发热。
在太阳能逆变器中，该器件能够高效地将太阳能板的直流电转换为交流电，提高系统整体能效。
此外，在UPS系统中，IXGR50N60C2可确保在市电中断时快速切换至备用电源，保障关键设备的持续运行。
STP55N60M2, FQA50N60, IRFP460A
