您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXGR48N60C3D1

IXGR48N60C3D1 发布时间 时间:2023/3/6 14:40:52 查看 阅读:319

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: ISOPLUS 247

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

  

目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: ISOPLUS 247

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 56 A

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C

    安装风格: Through Hole


资料

厂商
IXYS

IXGR48N60C3D1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXGR48N60C3D1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXGR48N60C3D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)56A
  • 功率 - 最大125W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件