时间：2025/8/6 9:07:09
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IXGR16N170AH1是一款由Littelfuse公司推出的高性能功率MOSFET模块，属于其X系列中的增强型高压MOSFET产品线。该器件专为高效率、高可靠性的功率转换应用而设计，广泛应用于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及电机控制等领域。IXGR16N170AH1采用先进的沟槽栅场截止（Field Stop Trench）技术，具备较低的导通损耗和开关损耗，能够在高电压和大电流条件下实现高效的能量转换。该模块封装设计紧凑，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。
类型：功率MOSFET模块
额定电压：1700V
额定电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.45Ω
栅极电荷（Qg）：约65nC
漏源击穿电压（BVDSS）：1700V
最大工作温度：150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
短路耐受能力：支持
热阻（Rth）：具体数值需参考数据手册
工作温度范围：-55°C至150°C
IXGR16N170AH1具有多项先进的技术特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，该器件采用沟槽栅场截止技术，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其次，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高开关频率，适用于高频功率转换应用。此外，IXGR16N170AH1具备良好的短路耐受能力，能够在极端工况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和安全性。
在热性能方面，IXGR16N170AH1的封装设计优化了散热路径，降低了热阻，从而提高了器件在高负载条件下的散热效率。这使得该器件能够在高温环境下稳定工作，延长了使用寿命。同时，该模块具有良好的绝缘性能，符合国际标准的电气安全要求，适用于高电压隔离的应用场景。
此外，IXGR16N170AH1还具备优异的抗干扰能力和稳定性，适用于复杂电磁环境下的工业应用。其封装设计和内部结构优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于提高系统的整体稳定性。该器件还支持并联使用，便于构建更高功率的系统架构。
IXGR16N170AH1广泛应用于多种高压功率转换和控制系统中。其主要应用领域包括但不限于：工业电源系统，如高频开关电源、DC-DC转换器和AC-DC整流器；可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能转换系统；电动汽车充电基础设施，包括车载充电器和直流快充设备；电机驱动和变频器系统，用于工业自动化和家电控制；以及不间断电源（UPS）和储能系统等。在这些应用中，IXGR16N170AH1能够提供高效的能量转换能力，同时保持良好的稳定性和可靠性，满足现代电力电子系统对高效率、高集成度和高可靠性的需求。
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