时间：2025/8/6 2:05:03
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IXGQ90N30TC是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件具有出色的导通性能和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统，如电源转换器、电机驱动、逆变器以及工业自动化设备等。该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：300V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：90A
功耗(Pd)：400W
导通电阻(Rds(on))：典型值为32mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGQ90N30TC具备多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现优异。
首先，该器件的导通电阻较低，典型值为32mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
其次，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为90A，适用于大功率负载场景。
此外，IXGQ90N30TC采用了先进的沟道技术，提供快速的开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件还具备良好的热稳定性，采用TO-247封装，具有优异的热管理和散热能力，适用于长时间高负载工作环境。
最后，其栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种标准驱动电路，便于集成到各种功率系统中。
IXGQ90N30TC广泛应用于多种高功率电子设备中。在电源系统中，常用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块和不间断电源（UPS）中的功率开关。
在工业自动化领域，该MOSFET可用于伺服电机驱动器、变频器和可编程逻辑控制器（PLC）中的功率输出模块。
此外，IXGQ90N30TC也适用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备中的功率转换模块。
其高可靠性和优异的热管理性能，也使其适用于高要求的医疗设备、测试仪器和工业加热设备中的电源管理单元。
IXFH90N30P3, IXTP90N30P3, IRFP4668PBF
