类型：IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（VCES）：1200 V
　　最大集电极电流（IC）：28 A
　　栅极-发射极电压（VGES）：±20 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1 V（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　安装类型：通孔

IXGQ28N120BD1具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件具有高达1200 V的集电极-发射极击穿电压，使其能够承受高电压应力，适用于高压电源和变频器系统。其次，其最大集电极电流为28 A，能够支持较大负载的电流需求，确保系统稳定运行。
　　此外，该IGBT的导通压降（VCE_sat）约为2.1 V，具有较低的导通损耗，有助于提高整体系统效率。同时，其栅极-发射极电压范围为±20 V，具有较强的抗干扰能力，确保控制信号的稳定性。
　　在热管理方面，IXGQ28N120BD1能够在-55°C至+150°C的温度范围内工作，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣环境条件。此外，该器件还具备短路耐受能力，能够在异常情况下提供一定的保护，延长器件寿命。
　　IXGQ28N120BD1采用TO-247封装，具备良好的散热性能，便于安装和散热设计，适用于多种功率模块和电力电子设备。

IXGQ28N120BD1广泛应用于多个高功率电子系统中，例如工业电机驱动器、变频器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。在电机控制应用中，该IGBT可用于高效能的PWM（脉宽调制）控制，实现精确的速度和扭矩调节。在可再生能源系统中，IXGQ28N120BD1可作为太阳能逆变器或风力发电变流器中的核心功率开关，提供高效、可靠的电力转换功能。
　　此外，该器件还可用于高频电源转换器和工业电源系统，以满足高效率和高稳定性的需求。由于其具备较强的短路保护能力和良好的热管理特性，IXGQ28N120BD1也适用于对系统可靠性要求较高的场合，如医疗电源设备和高精度测试仪器。

FGA25N120ANTD、STGY28N120D1、IXGH28N120BD1