IXGQ200N30TCD1 是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的高性能 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,属于 HybridPACK? 系列的一部分。该模块结合了 IGBT 和反向并联的二极管,适用于高功率、高频开关应用。IXGQ200N30TCD1 采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,以实现更低的导通损耗和开关损耗。该模块封装紧凑,具有良好的热管理和机械稳定性,适合用于工业逆变器、电机驱动、可再生能源系统(如光伏逆变器)和电动汽车动力系统等领域。
集电极-发射极电压(VCES):300V
集电极电流(IC):200A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:6倍额定电流,持续时间10μs
导通压降(VCE_sat):典型值为1.75V(在IC=200A,Tj=25°C时)
开关损耗(Eon/Eoff):典型值分别为1.8mJ和1.2mJ(测试条件:VCE=300V,IC=200A,Tj=125°C)
封装形式:双列直插式(DIP)绝缘封装
绝缘等级:符合UL认证,绝缘耐压等级为2500VAC
IXGQ200N30TCD1 的设计基于英飞凌成熟的 IGBT4 技术,具有优异的导通和开关性能。其采用的沟槽栅场截止技术不仅降低了导通压降,还优化了载流子分布,从而显著减少了开关过程中的能量损耗。这种低损耗特性使得该模块在高频开关应用中表现尤为出色,能够有效提高系统的整体效率。
此外,该模块集成了高性能的反向并联二极管,具备快速恢复特性,进一步提升了系统的动态响应能力。其封装结构采用了先进的绝缘材料和散热设计,确保在高功率密度应用中仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
IXGQ200N30TCD1 还具备优异的短路耐受能力,能够在极端工况下保护系统不受损坏,提高了设备的运行安全性和使用寿命。
IXGQ200N30TCD1 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。其典型应用包括:
? 工业逆变器和电机驱动系统
? 光伏逆变器和其他可再生能源转换系统
? 电动汽车的电驱系统和车载充电器
? 不间断电源(UPS)和储能系统
? 家用及商用空调系统的变频驱动
IXGQ200N30TCD1G、FF200R30KF4C_B11、SKM200GB030D