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IXGQ200N30PB 发布时间 时间:2025/8/6 12:19:32 查看 阅读:19

IXGQ200N30PB是一款由IXYS公司生产的高功率双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管,设计用于高电压和高电流的应用场景。该晶体管能够在高达300V的工作电压下运行,并具有200A的额定集电极电流,适用于需要高功率密度和高可靠性的工业和电力电子设备。IXGQ200N30PB采用了先进的硅技术,以确保在极端工作条件下的稳定性能。

参数

类型: NPN型双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO): 300V
  最大集电极电流(IC): 200A
  最大功耗(PD): 1000W
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  增益带宽(GBW): 100MHz
  封装形式: TO-247

特性

IXGQ200N30PB具有优异的电气性能和热稳定性,适用于高功率开关和放大应用。其高电流承载能力和高电压阻断特性使其能够在苛刻的电力电子环境中可靠运行。该晶体管的高功率耗散能力(高达1000W)使其能够在高负载条件下保持较低的温度上升,从而延长器件的使用寿命。
  此外,IXGQ200N30PB具有良好的线性度和高频响应能力,适用于高频放大器和高速开关电路。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热器上,以进一步提高散热效率。
  该晶体管还具备良好的短路耐受能力和过载保护特性,能够在突发的电流过载或短路情况下保持稳定运行,从而提高系统的整体可靠性。其-55°C至+150°C的宽工作温度范围也使其适用于极端环境条件下的应用,如工业自动化、电力转换系统和电动车辆驱动器等。

应用

IXGQ200N30PB广泛应用于各种高功率电子设备中,包括电机驱动器、电源转换器(如DC-DC变换器和AC-DC整流器)、高频放大器、焊接设备、UPS(不间断电源)系统以及工业自动化控制系统。此外,它还可用于高功率音频放大器、电能管理系统以及电动汽车的电力驱动系统等高要求的电子系统中。

替代型号

IXGH200N30PB, IXGH200N30PT

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IXGQ200N30PB参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)400A
  • 功率 - 最大-
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件