类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：170A
　　最大漏源电压（VDS）：300V
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

IXGQ170N30TC具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET的导通电阻仅为17mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这对于需要长时间运行的高功率设备尤为重要。
　　其次，IXGQ170N30TC的最大漏极电流可达170A，能够承受较大的负载电流，适合用于大功率开关电源和电机控制电路。其高电流承载能力也使得在设计时可以减少并联器件的数量，从而简化电路结构并降低成本。
　　此外，该器件的最大漏源电压为300V，可在中高压环境下稳定工作，适用于各种工业电源和变频器应用。
　　IXGQ170N30TC的栅极电荷为120nC，这一参数在高频开关应用中具有重要意义，有助于降低开关损耗，提高系统响应速度。
　　最后，该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，可在-55°C至+175°C的宽温度范围内正常工作，适应各种恶劣的工业环境。

IXGQ170N30TC广泛应用于需要高效功率转换和控制的各类电子设备中。
　　在工业电源领域，该器件常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，作为主功率开关以实现高效率的能量转换。由于其低导通电阻和高电流承载能力，IXGQ170N30TC在这些应用中能够有效降低损耗，提高整体系统效率。
　　在焊接设备中，IXGQ170N30TC可用于逆变式焊机的主电路中，其高电流能力和快速开关特性能够确保焊接过程的稳定性和高效性。
　　在不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET可作为逆变器开关，用于将直流电转换为交流电，以在市电中断时为负载提供持续的电力供应。
　　此外，IXGQ170N30TC还适用于电动车辆充电系统、太阳能逆变器、工业变频器以及电机驱动器等高功率应用场合，其出色的热性能和可靠性确保了系统在高负荷条件下的稳定运行。

IXFN170N30P, IXFH170N30T, IRGP50B60PD1S