时间：2025/8/6 12:26:02
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IXGQ170N30PCD1是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能碳化硅（SiC）功率MOSFET，适用于高效率、高频率的电力电子应用。该器件采用了先进的碳化硅技术，具有优异的导通和开关性能，能够在高温和高压环境下稳定运行。IXGQ170N30PCD1的额定电压为300V，最大连续漏极电流为170A，适用于各种工业、汽车和可再生能源系统。
类型：碳化硅MOSFET
漏源电压（VDS）：300V
漏极电流（ID）：170A（@TC=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：约3.5mΩ
封装类型：TO-247-3
工作温度范围：-55°C至+175°C
栅极电荷（Qg）：典型值约120nC
输入电容（Ciss）：约3000pF
IXGQ170N30PCD1基于碳化硅材料，具有显著优于传统硅基MOSFET和IGBT的性能优势。首先，它的导通电阻极低，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，由于碳化硅材料的宽禁带特性，该器件具有更高的击穿电压能力和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。此外，IXGQ170N30PCD1具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，提高系统的可靠性和寿命。该器件还具有快速的开关响应时间，能够实现更高的开关频率，从而减小系统中磁性元件的尺寸和重量，提升整体功率密度。
在实际应用中，IXGQ170N30PCD1的封装设计优化了热管理和电气性能，确保在高功率密度应用中具备良好的散热能力。其TO-247-3封装形式广泛应用于工业标准设计中，便于用户进行快速替换和系统集成。
IXGQ170N30PCD1广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中，例如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、逆变器以及充电桩系统；在工业领域，可用于高频率开关电源、UPS不间断电源、电机驱动和工业自动化设备；此外，该器件也适用于可再生能源系统如太阳能逆变器、风力发电变流器等，能够有效提高能源转换效率并降低系统损耗。
IXFN170N30P3；C3M0060065J；C3M0060065K
