时间：2025/8/6 3:49:00
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IXGQ120N27PB是一款由IXYS公司制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率密度和高效能电力电子应用设计。这款MOSFET属于N沟道增强型晶体管，适用于诸如电源转换、电机控制、不间断电源（UPS）、逆变器、电池充电器和各种工业自动化设备中。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：250V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：120A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大值为18mΩ
功率耗散(Pd)：375W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
晶体管配置：单
IXGQ120N27PB具备一系列卓越的电气和热性能，使其在多种高功率应用场景中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）仅为18mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。这使得该MOSFET非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和开关电源（SMPS）。
其次，该器件的最大漏极电流在25°C时可达到120A，适用于需要高电流能力的场合，如电机驱动和高功率LED照明系统。同时，其高达250V的漏源击穿电压确保了其在高压环境下的稳定运行。
IXGQ120N27PB广泛应用于多种电力电子系统和设备中，包括但不限于以下领域：
1. **开关电源（SMPS）**：由于其低导通电阻和高电流能力，适用于高效率电源转换器，如服务器电源、工业电源和电信电源。
2. **电机控制**：在直流电机驱动和变频器中，该MOSFET可用于实现高效能的功率控制，适用于自动化设备和电动工具。
3. **逆变器与UPS系统**：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，IXGQ120N27PB能够提供可靠的功率切换和高效能的能量转换。
4. **电池管理系统（BMS）**：在高功率电池充放电管理系统中，该MOSFET可用于控制电流流动，实现高效能的电池管理。
5. **工业自动化与控制系统**：适用于工业控制设备中的功率开关，如PLC、继电器模块和智能电表等。
SiHF120N25T、IRFP4468PbF、SPW47N25C3、IXGQ120N25PB
