时间：2025/8/6 5:22:19
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IXGP7N60BD1 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压、高频率的开关应用。该器件采用了先进的平面栅极技术，提供了出色的导通和开关性能，广泛应用于电源转换、电机控制、照明设备以及工业自动化等领域。IXGP7N60BD1 的最大漏源电压（VDS）为 600V，连续漏极电流（ID）为 7A，在高温条件下仍能保持稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）@25°C：7A
最大脉冲漏极电流（IDM）：28A
栅源电压（VGS）范围：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约1.8Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
IXGP7N60BD1 具备多项优良特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V VDS）使其适用于多种高电压开关应用，如AC/DC电源转换器、逆变器和电机驱动器等。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），在导通状态下功耗较低，有助于提高系统效率并减少散热需求。
此外，IXGP7N60BD1 的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，提高整体系统性能。该器件还具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持可靠运行。
该MOSFET采用 TO-220 封装，便于安装在散热器上，确保在高功率操作下的散热效果。其封装设计也增强了机械强度和电气绝缘性能，适合在工业和恶劣环境中使用。IXGP7N60BD1 还具备良好的抗雪崩能力和过载承受能力，提高了系统的安全性和可靠性。
IXGP7N60BD1 广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。在电源领域，它常用于开关电源（SMPS）、AC/DC和DC/DC转换器，作为主开关元件，实现高效的能量转换。由于其高频开关能力和低导通损耗，该MOSFET也适用于照明系统，如荧光灯电子镇流器和LED驱动器。
在工业控制方面，IXGP7N60BD1 可用于电机驱动和变频器，提供高效的功率控制方案。此外，它也适用于家用电器中的电源管理模块，如微波炉、洗衣机和空调等设备中的高压负载控制。
由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，该MOSFET还被广泛应用于逆变器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变系统中，确保在高温和高负载条件下稳定运行。
STP7NK60Z, FQP7N60, IRFBC40
