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IXGP50N60C4 发布时间 时间:2025/8/6 5:54:13 查看 阅读:39

IXGP50N60C4是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和高效能的特点。该器件广泛应用于电源管理、工业电机控制、太阳能逆变器和焊接设备等领域。该MOSFET采用TO-247封装,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXGP50N60C4具备多项优良特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,该器件具有600V的高漏源电压额定值,使其适用于高压电源和工业控制电路。其低导通电阻(Rds(on))为0.15Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  其次,该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行,从而提高系统的可靠性和寿命。
  此外,该器件采用TO-247封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于安装在散热器上,适用于高功率密度的设计需求。
  IXGP50N60C4还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动器和电源供应器。其栅极驱动电压范围为±20V,适用于多种驱动电路设计。
  总体而言,IXGP50N60C4凭借其高耐压、低导通电阻、高可靠性和良好的热管理性能,成为多种高功率应用的理想选择。

应用

IXGP50N60C4常用于以下应用场景:
  1. 电源管理系统:如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和DC-DC转换器,利用其高效率和低导通损耗提升整体能效。
  2. 工业自动化控制:用于电机驱动、变频器和伺服控制系统,满足高压和高电流需求。
  3. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风力发电变流器,该MOSFET的高耐压和高可靠性使其适用于恶劣环境下的长期运行。
  4. 焊接设备:用于高频逆变焊机,提供稳定的功率输出和优异的动态响应。
  5. 电动车充电设备和储能系统:作为主开关元件,负责高效的能量转换与管理。
  以上应用均受益于IXGP50N60C4的高性能和稳定表现。

替代型号

STP55NF06, IRFP460, FDPF50N60, FQA50N60

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IXGP50N60C4参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)90 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)220 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,36A
  • 功率 - 最大值300 W
  • 开关能量950μJ(开),840μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷113 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值40ns/270ns
  • 测试条件400V,36A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3