IXGP30N120B3 时间：2025/8/6 7:05:05 阅读：23

IXGP30N120B3是一款由IXYS公司生产的高功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，主要用于高电压和高电流的应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备。

参数

集电极-发射极电压最大值(Vce)：1200V
　　集电极电流最大值(Ic)：30A
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　短路耐受能力：5us
　　栅极驱动电压：+15V/-15V
　　短路电流能力：120A
　　封装类型：TO-247

特性

IXGP30N120B3具有以下主要特性：
　　1. 高电压和高电流能力：该IGBT能够在1200V的电压下工作，并且支持高达30A的集电极电流，适用于高功率应用。
　　2. 短路保护能力：具备5微秒的短路耐受能力，可在异常情况下保护器件免受损坏。
　　3. 优异的热性能：采用高导热材料和设计，确保在高功率运行时仍能保持较低的工作温度。
　　4. 低导通压降：该器件具有较低的导通压降，有助于减少能量损耗并提高系统效率。
　　5. 快速开关特性：提供快速的开关响应，适合高频开关应用，减少开关损耗。
　　6. 高可靠性：经过严格的测试和验证，确保在苛刻的工作环境下仍能保持稳定的性能。

应用

IXGP30N120B3广泛应用于以下领域：
　　1. 工业电机驱动：用于变频器和伺服驱动器中的功率转换部分，提供高效的电力控制。
　　2. 电源转换系统：适用于UPS（不间断电源）、DC-AC逆变器以及各种开关电源的设计。
　　3. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节装置。
　　4. 电动汽车充电设备：用于高效能的充电管理和电力转换系统中。
　　5. 电力传输与配电：在智能电网和电力传输系统中作为关键的功率控制元件。
　　6. 电动车辆的逆变器：用于电动汽车的电机控制系统，提供高效、可靠的电力转换。