时间：2025/9/3 21:45:10
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IXGP20N100 是一款由 IXYS 公司生产的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源转换、工业控制、电机驱动以及 UPS（不间断电源）系统等场合。IXGP20N100 采用 TO-247 封装，具备良好的热性能和机械稳定性，能够承受较高的工作电压和电流。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：1000V
连续漏极电流（ID）：20A（Tc=25℃）
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：200W
短路耐受能力：有
IXGP20N100 的主要特性包括高耐压能力，漏源击穿电压高达 1000V，使其适用于高电压工作环境，如开关电源和高压直流系统。其低导通电阻（RDS(on)）为 0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 支持较高的栅极驱动电压（±30V），具备良好的抗干扰能力和稳定性。TO-247 封装形式提供良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。该器件还具备较强的短路耐受能力，能够在异常情况下提供一定的保护作用。其宽泛的工作温度范围（-55℃ ~ +150℃）使其适用于各种严苛环境条件下的应用。另外，IXGP20N100 还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，提升系统响应速度和整体性能。
IXGP20N100 常用于高功率开关电源（SMPS）中，作为主开关元件，尤其适用于需要高压隔离和高效能转换的场合。它也广泛应用于电机驱动系统、UPS（不间断电源）、电焊设备、工业自动化控制系统以及高电压测试设备等。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、电动车充电系统和高频逆变器等电力电子系统中。
IXGP25N100, IXGH20N100
