IXGP16N60B2是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道功率MOSFET晶体管。该器件专为高电压、高电流应用而设计,适用于各种电力电子设备,如电源转换器、马达控制器、逆变器和电源管理系统。这款MOSFET具有较高的开关速度和较低的导通电阻,能够在600V的漏源电压下工作,适合高效率、高性能的功率电子系统。
类型:N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.33Ω(最大值)
功率耗散(Ptot):125W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
栅极电荷(Qg):52nC(典型值)
输入电容(Ciss):1500pF(典型值)
IXGP16N60B2的主要特性包括高耐压能力和低导通电阻,这使得该器件能够在高电压环境下保持较低的功率损耗。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能,确保在高电流条件下的稳定运行。此外,该MOSFET具有快速开关能力,适用于高频开关应用,有助于减小电源设备的体积并提高效率。
该器件的栅极驱动要求相对较低,可在±20V范围内安全工作,便于与多种驱动电路兼容。其热阻较低,能够有效将热量从芯片传导至散热器,延长器件寿命并提升系统可靠性。此外,IXGP16N60B2具备良好的短路耐受能力,提高了在异常工作条件下的安全性。
由于其优异的性能参数,IXGP16N60B2在工业控制、可再生能源系统、电动车辆电源管理以及不间断电源(UPS)等领域得到广泛应用。该器件的设计符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。
IXGP16N60B2广泛应用于需要高电压、高效率功率控制的电子系统中。典型应用包括交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)电源转换器、逆变器、马达驱动器、电池充电器、焊接设备、太阳能逆变器以及不间断电源(UPS)系统。此外,该MOSFET也可用于工业自动化控制、电源管理系统以及高功率LED照明驱动电路。
在开关电源(SMPS)设计中,IXGP16N60B2可用于主开关器件,提供高效的能量转换。在马达控制应用中,它可以作为功率级的开关元件,实现对马达转速和扭矩的精确控制。由于其高频开关特性,该器件也有助于减少外部滤波元件的尺寸,提升整体系统效率。
STP16N60DM2, FCP16N60, IRGP16N60D